ON Semiconductor FJV1845FMTF Транзистор

Код товара RS: 807-0925Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FJV1845FMTF
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

110 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 364,00

тг 26,82 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)

ON Semiconductor FJV1845FMTF Транзистор
Select packaging type

тг 5 364,00

тг 26,82 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)

ON Semiconductor FJV1845FMTF Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
200 - 800тг 26,82тг 5 364,00
1000 - 1800тг 17,88тг 3 576,00
2000 - 9800тг 13,41тг 2 682,00
10000 - 19800тг 13,41тг 2 682,00
20000+тг 13,41тг 2 682,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

120 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

120 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

110 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Размеры

2.9 x 1.3 x 1.04мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Over 100V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.