Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
20 to 40mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Общий источник
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CPH
Число контактов
6
Емкость сток-затвор
6пФ
Емкость исток-затвор
2.3пФ
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
20 to 40mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Общий источник
Конфигурация
Двойной
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CPH
Число контактов
6
Емкость сток-затвор
6пФ
Емкость исток-затвор
2.3пФ
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.