ON Semiconductor 2SD1620-TD-E Транзистор

Код товара RS: 145-4109Бренд: onsemiПарт-номер производителя: 2SD1620-TD-E
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

10 В

Тип корпуса

PCP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

140

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor 2SD1620-TD-E Транзистор

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor 2SD1620-TD-E Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1000
1P.O.A.
1001P.O.A.
2001P.O.A.
3001P.O.A.
4001P.O.A.
5001P.O.A.
6001P.O.A.
7001P.O.A.
8001P.O.A.
9001P.O.A.
10001P.O.A.
11001P.O.A.
12001P.O.A.
13001P.O.A.
14001P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

10 В

Тип корпуса

PCP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

140

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

1 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.