Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
NMP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.9 x 2.5 x 4.5мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
500 мВ
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Производственная упаковка (Лента )
25
P.O.A.
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Производственная упаковка (Лента )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
NMP
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.9 x 2.5 x 4.5мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
500 мВ
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.