Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
TP-FA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
140
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.5 x 5.5 x 2.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
20
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
-50 V
Тип корпуса
TP-FA
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
15 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
140
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-6 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.5 x 5.5 x 2.3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Over 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.