Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий катод
Максимальное напряжение фиксации
38V
Минимальное пробивное напряжение
25.65V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное обратное напряжение стабилизации
22V
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
40W
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный обратный ток утечки
50нА
Высота
0.94мм
Испытательный ток
1mA
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Стандартная упаковка
100
P.O.A.
Стандартная упаковка
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий катод
Максимальное напряжение фиксации
38V
Минимальное пробивное напряжение
25.65V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное обратное напряжение стабилизации
22V
Число контактов
3
Рассеяние пиковой импульсной мощности
40W
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
2
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.94мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальный обратный ток утечки
50нА
Высота
0.94мм
Испытательный ток
1mA
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм