Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
315 кГц
Выходное напряжение
5,5 → 7,5 В
Выходной ток
1,5 A
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Размеры
10.45 x 7.6 x 2.4мм
Длина
10.45мм
Тип контроллера ШИМ
Импульсный регулятор
Ширина
7.6мм
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-25 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2
P.O.A.
2
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
2 - 8 | P.O.A. |
10 - 98 | P.O.A. |
100 - 248 | P.O.A. |
250 - 498 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальная частота преобразования
315 кГц
Выходное напряжение
5,5 → 7,5 В
Выходной ток
1,5 A
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
16
Размеры
10.45 x 7.6 x 2.4мм
Длина
10.45мм
Тип контроллера ШИМ
Импульсный регулятор
Ширина
7.6мм
Высота
2.4мм
Минимальная рабочая температура
-25 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C