onsemi FGH40T100SMD IGBT, 80 A 1000 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1000 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 1 855,05
Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 855,05
Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 8 | тг 1 855,05 | тг 3 710,10 |
| 10 - 48 | тг 1 519,80 | тг 3 039,60 |
| 50 - 98 | тг 1 488,51 | тг 2 977,02 |
| 100 - 198 | тг 1 251,60 | тг 2 503,20 |
| 200+ | тг 1 224,78 | тг 2 449,56 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
80 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1000 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
333 Вт
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.