Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
267 W
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
2+Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
1520пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
Automotive IGBT, Fairchild Semiconductor
A range of Field Stop Trench IGBTs from Fairchild Semiconductor that have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorМаксимальный непрерывный ток коллектора
40 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
267 W
Количество транзисторов
1
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
2+Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
10.67 x 9.65 x 4.83мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Емкость затвора
1520пФ
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Информация о товаре
Automotive IGBT, Fairchild Semiconductor
A range of Field Stop Trench IGBTs from Fairchild Semiconductor that have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.