Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0,4 В
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, 40 to 50V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Сумка)
10
P.O.A.
Производственная упаковка (Сумка)
10
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
200 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
625 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
5.2 x 4.19 x 5.33мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-0,4 В
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, 40 to 50V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.