Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 → 60mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 53,64
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 53,64
Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 10 | тг 53,64 | тг 536,40 |
20 - 40 | тг 44,70 | тг 447,00 |
50 - 90 | тг 40,23 | тг 402,30 |
100 - 190 | тг 35,76 | тг 357,60 |
200+ | тг 31,29 | тг 312,90 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
NXPТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
12 → 60mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация транзистора
Одинарный
Конфигурация
Одиночный
Максимальное сопротивление сток-исток
50 Ω
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Высота
1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Ширина
1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
N-channel JFET, NXP
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.