Nexperia PBSS4520X,135 Транзистор

Код товара RS: 103-7566Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS4520X,135
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

UPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

125 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.6 x 4.6 x 2.6мм

Страна происхождения

Hong Kong

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
DiodesZetex ZXTN4000ZTA Транзистор
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Nexperia PBSS4520X,135 Транзистор

P.O.A.

Nexperia PBSS4520X,135 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
DiodesZetex ZXTN4000ZTA Транзистор
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

UPAK

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

125 МГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

1.6 x 4.6 x 2.6мм

Страна происхождения

Hong Kong

Информация о товаре

Low Saturation Voltage NPN Transistors

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
DiodesZetex ZXTN4000ZTA Транзистор
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)