Nexperia PBSS4140DPN,115 Dual NPN/PNP Transistor, 1 A, 40 V, 6-Pin TSOP

Код товара RS: 518-1485Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: PBSS4140DPN,115
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

370 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Размеры

1 x 3.1 x 1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 160,92

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia PBSS4140DPN,115 Dual NPN/PNP Transistor, 1 A, 40 V, 6-Pin TSOP
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 609,20
20тг 3 218,40
30тг 4 827,60
40тг 6 436,80
50тг 8 046,00
60тг 9 655,20
70тг 11 264,40
80тг 12 873,60
90тг 14 482,80
100тг 16 092,00
110тг 17 701,20
120тг 19 310,40
130тг 20 919,60
140тг 22 528,80
150тг 24 138,00

тг 160,92

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia PBSS4140DPN,115 Dual NPN/PNP Transistor, 1 A, 40 V, 6-Pin TSOP
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10тг 1 609,20
20тг 3 218,40
30тг 4 827,60
40тг 6 436,80
50тг 8 046,00
60тг 9 655,20
70тг 11 264,40
80тг 12 873,60
90тг 14 482,80
100тг 16 092,00
110тг 17 701,20
120тг 19 310,40
130тг 20 919,60
140тг 22 528,80
150тг 24 138,00

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 160,92тг 1 609,20
50 - 190тг 160,92тг 1 609,20
200 - 490тг 116,22тг 1 162,20
500 - 990тг 116,22тг 1 162,20
1000+тг 107,28тг 1 072,80

Техническая документация

Характеристики

Brand

Nexperia

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

Тонкий корпус с уменьшенным расстоянием между выводами

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

370 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Размеры

1 x 3.1 x 1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia

A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage Dual NPN/PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.

Bipolar Transistors, Nexperia