Nexperia BSP52,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:1000, 4-Pin SOT-223 (SC-73)

Код товара RS: 484-2634Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BSP52,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.7мм

Ширина

3.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 151,98

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BSP52,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:1000, 4-Pin SOT-223 (SC-73)
Select packaging type

тг 151,98

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Nexperia BSP52,115 NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:1000, 4-Pin SOT-223 (SC-73)
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 40тг 151,98тг 1 519,80
50 - 190тг 147,51тг 1 475,10
200 - 490тг 111,75тг 1 117,50
500 - 990тг 107,28тг 1 072,80
1000+тг 89,40тг 894,00

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.00005mA

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.7мм

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.7мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.7мм

Ширина

3.7мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia