Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
4000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Darlington Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Производственная упаковка (Катушка )
100
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
4000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Длина
3мм
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре