Nexperia BCM847BS,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363

Код товара RS: 792-0844Бренд: NexperiaПарт-номер производителя: BCM847BS,115
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Токовое зеркало

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Размеры

2.2 x 1.35 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
тг 26,82Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 950,20

тг 147,51 Each (On a Reel of 20) (ex VAT)

Nexperia BCM847BS,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Select packaging type

тг 2 950,20

тг 147,51 Each (On a Reel of 20) (ex VAT)

Nexperia BCM847BS,115 Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Катушка
20 - 80тг 147,51тг 2 950,20
100 - 240тг 120,69тг 2 413,80
260 - 480тг 102,81тг 2 056,20
500 - 2980тг 89,40тг 1 788,00
3000+тг 71,52тг 1 430,40
Вас может заинтересовать
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
тг 26,82Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Токовое зеркало

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Размеры

2.2 x 1.35 x 1.1мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

General Purpose NPN Transistors, Nexperia

Bipolar Transistors, Nexperia

Вас может заинтересовать
onsemi SBC847CDW1G Dual NPN Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
тг 26,82Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)