Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose Dual NPN/PNP Transistors, Nexperia
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Размеры
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре