MagnaChip MPMC150B120RH Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipМаксимальный непрерывный ток коллектора
150 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
735 W
Тип корпуса
7DM-2
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
70кГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
94 x 48 x 22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 40 404,33
тг 40 404,33 Each (ex VAT)
1
тг 40 404,33
тг 40 404,33 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | тг 40 404,33 |
| 2 - 4 | тг 36 358,98 |
| 5 - 9 | тг 30 297,66 |
| 10+ | тг 28 429,20 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
MagnaChipМаксимальный непрерывный ток коллектора
150 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
735 W
Тип корпуса
7DM-2
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Скорость переключения
70кГц
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
94 x 48 x 22мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Modules, MagnaChip
IGBT Discretes & Modules
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.