IXYS IXGH6N170 IGBT

Код товара RS: 194-760Бренд: IXYSПарт-номер производителя: IXGH6N170
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1700 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

TO-247AD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
IXYS IXGH16N170 IGBT
тг 4 125,81Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 455,31

тг 3 455,31 Each (ex VAT)

IXYS IXGH6N170 IGBT

тг 3 455,31

тг 3 455,31 Each (ex VAT)

IXYS IXGH6N170 IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 3 455,31
5 - 24тг 3 236,28
25 - 49тг 3 053,01
50 - 99тг 2 883,15
100+тг 2 673,06
Вас может заинтересовать
IXYS IXGH16N170 IGBT
тг 4 125,81Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

IXYS

Максимальный непрерывный ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1700 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

TO-247AD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

16.26 x 5.3 x 21.46мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, IXYS

IGBT Discretes & Modules, IXYS

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
IXYS IXGH16N170 IGBT
тг 4 125,81Each (ex VAT)