IXYS IXGH32N170 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1700 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Длина
16.26мм
Ширина
5.3мм
Высота
21.46мм
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 6 982,14
тг 6 982,14 Each (ex VAT)
1
тг 6 982,14
тг 6 982,14 Each (ex VAT)
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | тг 6 982,14 |
| 5 - 19 | тг 6 839,10 |
| 20 - 49 | тг 5 864,64 |
| 50 - 99 | тг 5 743,95 |
| 100+ | тг 5 408,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1700 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247AD
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Длина
16.26мм
Ширина
5.3мм
Высота
21.46мм
Размеры
16.26 x 5.3 x 21.46мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.