IXYS 300V 2 x 30A, Dual Fast Recovery Epitaxial Diode Diode, 4-Pin SOT-227B DSEP2x31-03A
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип монтажа
Монтаж на панель
Тип корпуса
SOT-227B
Максимальный непрерывный прямой ток
2 x 30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
300V
Конфигурация диода
Изолированный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
4
Максимальное падение прямого напряжения
1.4V
Количество элементов на ИС
2
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
300A
Distrelec Product Id
30253212
Информация о товаре
DSEP2x series Dual FRED Diode Modules
The IXYS DSEP2x series modules contain two isolated Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED) in a single moulded package with M4 screw connections and two-hole screw isolated fixing base. The FRED diodes feature low reverse recovery currents which reduce power losses and improve switching efficiency. The very short reverse recovery time with excellent soft recovery behaviour results in improved EMI/RFI performance.
Diodes and Rectifiers, Ixys
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
IXYSТип монтажа
Монтаж на панель
Тип корпуса
SOT-227B
Максимальный непрерывный прямой ток
2 x 30A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
300V
Конфигурация диода
Изолированный
Тип выпрямителя
Коммутация
Тип диода
Кремниевое соединение
Число контактов
4
Максимальное падение прямого напряжения
1.4V
Количество элементов на ИС
2
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
300A
Distrelec Product Id
30253212
Информация о товаре
DSEP2x series Dual FRED Diode Modules
The IXYS DSEP2x series modules contain two isolated Fast Recovery Epitaxial Diodes (FRED) in a single moulded package with M4 screw connections and two-hole screw isolated fixing base. The FRED diodes feature low reverse recovery currents which reduce power losses and improve switching efficiency. The very short reverse recovery time with excellent soft recovery behaviour results in improved EMI/RFI performance.