Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonВыходной ток
0.36 A
Напряжение питания
20V
Число контактов
8
Тип корпуса
PDIP
Количество выходов
2
Топология
Верхняя и нижняя сторона
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
2
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
MOSFET & IGBT Drivers, Infineon (International Rectifier)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonВыходной ток
0.36 A
Напряжение питания
20V
Число контактов
8
Тип корпуса
PDIP
Количество выходов
2
Топология
Верхняя и нижняя сторона
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
2
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Страна происхождения
Thailand
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.