Infineon FZ600R12KS4HOSA1 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Конфигурация
Одиночный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
700 A
Максимальное рассеяние мощности
3,9 кВт
Тип корпуса
AG-62MM-2
Brand
InfineonРазмеры
106.4 x 61.4 x 36.5мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Техническая документация
Характеристики
Тип канала
N
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип монтажа
Монтаж на панель
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Конфигурация
Одиночный
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
700 A
Максимальное рассеяние мощности
3,9 кВт
Тип корпуса
AG-62MM-2
Brand
InfineonРазмеры
106.4 x 61.4 x 36.5мм