Cypress Semiconductor FM24W256-G FRAM-память

Код товара RS: 125-4217PБренд: InfineonПарт-номер производителя: FM24W256-G
brand-logo
Просмотреть все в Память FRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

256Кбит

Организация

32К x 8 бит

Тип интерфейса

Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C

Ширина шины данных

8бит

Максимальное время произвольного доступа

3000ns

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

8

Размеры

4.97 x 3.98 x 1.48мм

Длина

4.97мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Ширина

3.98мм

Высота

1.48мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

32K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

8бит

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Информация о товаре

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM24W256-G FRAM-память
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM24W256-G FRAM-память
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Труба)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

256Кбит

Организация

32К x 8 бит

Тип интерфейса

Последовательный, 2-проводной; последовательный, I2C

Ширина шины данных

8бит

Максимальное время произвольного доступа

3000ns

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

8

Размеры

4.97 x 3.98 x 1.48мм

Длина

4.97мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Ширина

3.98мм

Высота

1.48мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Количество слов

32K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

8бит

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Информация о товаре

FRAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.