Cypress Semiconductor FM18W08-SG FRAM-память

Код товара RS: 125-4205Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FM18W08-SG
brand-logo
Просмотреть все в Память FRAM

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

256Кбит

Организация

32К x 8 бит

Тип интерфейса

Параллельный

Ширина шины данных

8бит

Максимальное время произвольного доступа

70нс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

28

Размеры

18.11 x 7.62 x 2.37мм

Длина

18.11мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Ширина

7.62мм

Высота

2.37мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Количество слов

32K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

8бит

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Вас может заинтересовать

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM18W08-SG FRAM-память
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Cypress Semiconductor FM18W08-SG FRAM-память
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Объем памяти

256Кбит

Организация

32К x 8 бит

Тип интерфейса

Параллельный

Ширина шины данных

8бит

Максимальное время произвольного доступа

70нс

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOIC

Число контактов

28

Размеры

18.11 x 7.62 x 2.37мм

Длина

18.11мм

Максимальное рабочее напряжение питания

5,5 В

Ширина

7.62мм

Высота

2.37мм

Максимальная рабочая температура

+85 °C

Автомобильный стандарт

AEC-Q100

Количество слов

32K

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Минимальное рабочее напряжение питания

2,7 В

Количество бит на слово

8бит

Информация о товаре

F-RAM, Cypress Semiconductor

Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.

FRAM (Ferroelectric RAM)

FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.

Вас может заинтересовать