Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

Код товара RS: 351-921Бренд: InfineonПарт-номер производителя: FF750R17ME7DPB11BPSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

650 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1700 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Двойной

Тип корпуса

AG-ECONOD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Страна происхождения

Austria

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon FF750R17ME7DPB11BPSA1, P-Channel Dual IGBT, 650 A 1700 V AG-ECONOD, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

650 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1700 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Количество транзисторов

2

Конфигурация

Двойной

Тип корпуса

AG-ECONOD

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Страна происхождения

Austria