Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount

Код товара RS: 260-8893PБренд: InfineonПарт-номер производителя: FF600R12IP4BOSA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

2

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Конфигурация

Двойной

Тип корпуса

AG-PRIME2

Тип монтажа

Монтаж на шасси

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount
Select packaging type

Производственная упаковка (Лоток)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Infineon FF600R12IP4BOSA1 Dual IGBT, 600 A 1200 V AG-PRIME2, Chassis Mount
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Лоток)

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

600 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Количество транзисторов

2

Максимальное рассеяние мощности

20 mW

Конфигурация

Двойной

Тип корпуса

AG-PRIME2

Тип монтажа

Монтаж на шасси