1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP MOSFET Gate Driver for 6ED2231S12T

Код товара RS: 179-969Бренд: InfineonПарт-номер производителя: EVAL6ED2231S12TM1TOBO1
Просмотреть все в Инструменты разработки источников энергии, двигателей и робототехники

Техническая документация

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP MOSFET Gate Driver for 6ED2231S12T

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

1200 V Three Phase Gate Driver for IGBT/SiC with Integrated Bootstrap Diode and OCP MOSFET Gate Driver for 6ED2231S12T
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация