Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

Код товара RS: 273-5239Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BSC16DN25NS3GATMA1
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

62,5 Вт

Тип корпуса

PG-TDSON-8

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

8

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole

5000

Доступно в кратности 1
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

P.O.A.

Infineon BSC16DN25NS3GATMA1 IGBT, 8-Pin PG-TDSON-8, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться

5000

Доступно в кратности 1
5000P.O.A.
10000P.O.A.
15000P.O.A.
20000P.O.A.
25000P.O.A.
30000P.O.A.
35000P.O.A.
40000P.O.A.
45000P.O.A.
50000P.O.A.
55000P.O.A.
60000P.O.A.
65000P.O.A.
70000P.O.A.
75000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

62,5 Вт

Тип корпуса

PG-TDSON-8

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

8