Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Информация о товаре
Dual Matched Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 40,23
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 40,23
Each (Supplied as a Tape) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы | Per Лента |
---|---|---|
50 - 1200 | тг 40,23 | тг 2 011,50 |
1250 - 4950 | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
5000 - 24950 | тг 26,82 | тг 1 341,00 |
25000 - 149950 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
150000+ | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Информация о товаре