Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonЧисло контактов
28
Тип корпуса
TSSOP
Время спада
45нс
Количество выходов
6
Время нарастания
100нс
Топология
Гальванически изолированный
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
6
Тип перемычки
Полномостовой
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.
MOSFET & IGBT Drivers, Infineon (International Rectifier)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonЧисло контактов
28
Тип корпуса
TSSOP
Время спада
45нс
Количество выходов
6
Время нарастания
100нс
Топология
Гальванически изолированный
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
6
Тип перемычки
Полномостовой
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
MOSFET & IGBT Gate Drivers, Three-Phase, Infineon
A range of full-bridge drivers designed to control MOSFET and IGBT power devices in 3-phase applications. The devices feature a maximum blocking voltage of 600 V and low-side control using CMOS and TTL compatible signal levels.