Hamamatsu, S12023-10 Near Infrared Radiation Si PIN Photodiode, Through Hole TO-18

Код товара RS: 482-423Бренд: Hamamatsu PhotonicsПарт-номер производителя: S12023-10
brand-logo
Просмотреть все в Фотодиоды

Техническая документация

Характеристики

Brand

Hamamatsu Photonics

Spectrums Detected

Near Infrared Radiation

Длина волны пиковой чувствительности

800нм

Тип корпуса

TO-18

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество контактов

3

Материал диода

Кремний

Страна происхождения

Japan

P.O.A.

Hamamatsu, S12023-10 Near Infrared Radiation Si PIN Photodiode, Through Hole TO-18

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Hamamatsu, S12023-10 Near Infrared Radiation Si PIN Photodiode, Through Hole TO-18

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Hamamatsu Photonics

Spectrums Detected

Near Infrared Radiation

Длина волны пиковой чувствительности

800нм

Тип корпуса

TO-18

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Количество контактов

3

Материал диода

Кремний

Страна происхождения

Japan