Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5
Максимальный непрерывный прямой ток
15A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
50V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
470мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
290A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 084,30
тг 308,43 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 3 084,30
тг 308,43 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 308,43 | тг 3 084,30 |
50 - 90 | тг 250,32 | тг 2 503,20 |
100 - 240 | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
250 - 490 | тг 160,92 | тг 1 609,20 |
500+ | тг 147,51 | тг 1 475,10 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5
Максимальный непрерывный прямой ток
15A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
50V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
470мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
290A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.