Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20000
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
300 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20000
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
100нА
Высота
1мм
Ширина
1.4мм
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре