Diodes Inc BCP5516TA NPN Transistor, 1 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Up to 1.5A, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 4 246,50
тг 84,93 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 250 - 450 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
| 500 - 950 | тг 49,17 | тг 2 458,50 |
| 1000 - 1950 | тг 35,76 | тг 1 788,00 |
| 2000+ | тг 31,29 | тг 1 564,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
60 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.55 x 3.55 x 1.65мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, Up to 1.5A, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc