Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AB (SMC)
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
50V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
700мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 5 185,20
тг 129,63 Each (In a Pack of 40) (ex VAT)
Стандартная упаковка
40
тг 5 185,20
тг 129,63 Each (In a Pack of 40) (ex VAT)
Стандартная упаковка
40
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
40 - 160 | тг 129,63 | тг 5 185,20 |
200 - 360 | тг 89,40 | тг 3 576,00 |
400 - 1560 | тг 67,05 | тг 2 682,00 |
1600 - 2960 | тг 58,11 | тг 2 324,40 |
3000+ | тг 53,64 | тг 2 145,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AB (SMC)
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
50V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
700мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.