Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.7 x 3.7 x 4.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc

P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
700 В
Тип корпуса
TO-92
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
800 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
9 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
4.7 x 3.7 x 4.7мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
