Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, ультрафиолетовый, видимый диапазон
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
3.2мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DIP
Размеры
2.1 x 2.7 x 1.05мм
Ток коллектора
20mA
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 970 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
970нм
Длина
2.1мм
Ширина
2.7мм
Высота
1.05мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.
Ambient Light Sensors, OSRAM Opto Semiconductors
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ams OSRAMSpectrums Detected
Infrared, Ultraviolet, Visible Light
Обнаруженные спектры
Инфракрасный, ультрафиолетовый, видимый диапазон
Количество каналов
1
Максимальный ток освещения
3.2мкА
Максимальный темновой ток
3нА
Угол половинной чувствительности
120 °
Полярность
NPN
Количество контактов
3
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DIP
Размеры
2.1 x 2.7 x 1.05мм
Ток коллектора
20mA
Спектральный диапазон чувствительности
350 → 970 нм
Минимальная определяемая длина волны
350нм
Максимальная определяемая длина волны
970нм
Длина
2.1мм
Ширина
2.7мм
Высота
1.05мм
Информация о товаре
Ambient Light Sensors - Vlambda
A range of NPN silicon phototransistors from OSRAM Opto Semiconductors, with improved V lambda characteristics. These compact phototransistors are suitable for a wide range of applications including; ambient light detectors, exposure meters for both daylight and artificial light, sensor for backlight dimming and for control and drive circuits.