ON Semiconductor NTR1P02LT1G МОП-транзистор (MOSFET)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
220 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
5.5 nC @ 4 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
ON SemiconductorТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
1,3 А
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
220 мΩ
Номер канала
Поднятие
Максимальное рассеяние мощности
400 мВт
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 В, +12 В
Типичный заряд затвора при Vgs
5.5 nC @ 4 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Ширина
1.3мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
0.94мм
Информация о товаре
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.