Dual P-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 6-Pin SOT-23 onsemi NDC7003P

Код товара RS: 806-1236Бренд: onsemiПарт-номер производителя: NDC7003P
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

340 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 174,33

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 6-Pin SOT-23 onsemi NDC7003P
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 486,60
40тг 6 973,20
60тг 10 459,80
80тг 13 946,40
100тг 11 622,00
120тг 13 946,40
140тг 16 270,80
160тг 18 595,20
180тг 20 919,60
200тг 22 350,00
220тг 24 585,00
240тг 26 820,00
260тг 29 055,00
280тг 31 290,00
300тг 33 525,00

тг 174,33

Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Dual P-Channel MOSFET, 340 mA, 60 V, 6-Pin SOT-23 onsemi NDC7003P
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 20.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 20.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

20

Доступно в кратности 20
20тг 3 486,60
40тг 6 973,20
60тг 10 459,80
80тг 13 946,40
100тг 11 622,00
120тг 13 946,40
140тг 16 270,80
160тг 18 595,20
180тг 20 919,60
200тг 22 350,00
220тг 24 585,00
240тг 26 820,00
260тг 29 055,00
280тг 31 290,00
300тг 33 525,00

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 174,33тг 3 486,60
100 - 180тг 116,22тг 2 324,40
200 - 980тг 111,75тг 2 235,00
1000 - 1980тг 89,40тг 1 788,00
2000+тг 80,46тг 1 609,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

340 мА

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

10 Ω

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

960 mW

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Типичный заряд затвора при Vgs

1,6 нКл при 10 В

Ширина

1.7мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1мм

Информация о товаре

PowerTrench® Dual P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.