onsemi BCV27 NPN Darlington Transistor, 1.2 A 30 V HFE:4000, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1,2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
4000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0001mA
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
тг 1 564,50
тг 62,58 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 1 564,50
тг 62,58 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 25 - 75 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
| 100 - 225 | тг 26,82 | тг 670,50 |
| 250 - 475 | тг 26,82 | тг 670,50 |
| 500 - 975 | тг 26,82 | тг 670,50 |
| 1000+ | тг 17,88 | тг 447,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1,2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
4000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0001mA
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.92мм
Высота
0.93мм
Ширина
1.3мм
Размеры
2.92 x 1.3 x 0.93мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Darlington NPN Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.