onsemi BC847BPDW1T1G Dual NPN/PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363

Код товара RS: 690-0094Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BC847BPDW1T1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

0.9 x 2 x 1.25мм

Информация о товаре

Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor

Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 447,00

тг 17,88 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi BC847BPDW1T1G Dual NPN/PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Select packaging type

тг 447,00

тг 17,88 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi BC847BPDW1T1G Dual NPN/PNP Transistor, 100 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 3100тг 17,88тг 447,00
3125 - 6225тг 13,41тг 335,25
6250 - 12475тг 13,41тг 335,25
12500 - 24975тг 8,94тг 223,50
25000+тг 8,94тг 223,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-363

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

0.9 x 2 x 1.25мм

Информация о товаре

Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor

Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device