Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
0.9 x 2 x 1.25мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device
тг 447,00
тг 17,88 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 447,00
тг 17,88 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 3100 | тг 17,88 | тг 447,00 |
3125 - 6225 | тг 13,41 | тг 335,25 |
6250 - 12475 | тг 13,41 | тг 335,25 |
12500 - 24975 | тг 8,94 | тг 223,50 |
25000+ | тг 8,94 | тг 223,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-363
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
0.9 x 2 x 1.25мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device