Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
5.1V
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
DO-35
Тип диода Зенера
Универсальные измерители
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Число контактов
2
Испытательный ток
20mA
Максимальный импеданс Зенера
1600 Ω @ 0.25 mA, 17 Ω @ 20 mA
Максимальный обратный ток утечки
5мкА
Размеры
1.91 (Dia.) x 4.56мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Прямое напряжение
1.2V
Прямой ток
200mA
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Типичный температурный коэффициент напряжения
±0.03%/°C
Страна происхождения
China
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Одинарный
Номинальное напряжение стабилизации (напряжение Зенера)
5.1V
Количество элементов на ИС
1
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Тип корпуса
DO-35
Тип диода Зенера
Универсальные измерители
Диапазон напряжения туннельного пробоя p-n-перехода
5%
Число контактов
2
Испытательный ток
20mA
Максимальный импеданс Зенера
1600 Ω @ 0.25 mA, 17 Ω @ 20 mA
Максимальный обратный ток утечки
5мкА
Размеры
1.91 (Dia.) x 4.56мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Прямое напряжение
1.2V
Прямой ток
200mA
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Типичный температурный коэффициент напряжения
±0.03%/°C
Страна происхождения
China