Nexperia PBSS4350T,215 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
NexperiaТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.