Infineon IKW08T120FKSA1 IGBT, 16 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
16 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
20кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Емкость затвора
600пФ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Номинальная энергия
2.28mJ
Информация о товаре
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
тг 4 434,24
тг 1 108,56 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
тг 4 434,24
тг 1 108,56 Each (In a Pack of 4) (ex VAT)
Стандартная упаковка
4
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 4 - 16 | тг 1 108,56 | тг 4 434,24 |
| 20 - 96 | тг 965,52 | тг 3 862,08 |
| 100 - 196 | тг 853,77 | тг 3 415,08 |
| 200 - 496 | тг 835,89 | тг 3 343,56 |
| 500+ | тг 818,01 | тг 3 272,04 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonМаксимальный непрерывный ток коллектора
16 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
70 Вт
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
20кГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
16.13 x 5.21 x 21.1мм
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Емкость затвора
600пФ
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Номинальная энергия
2.28mJ
Информация о товаре
Infineon TrenchStop IGBT Transistors, 1100 to 1600V
A range of IGBT Transistors from Infineon with collector-emitter voltage ratings of 1100 to 1600V featuring TrenchStop™ technology. The range includes devices with an integrated high speed, fast recovery anti-parallel diode.
IGBT Discretes & Modules, Infineon
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.