FRAM 4kbit serial 20MHz SPI 5V SOIC8
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonОбъем памяти
4Кбит
Организация
512 x 8 bit
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
20нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.97 x 3.98 x 1.48мм
Длина
4.97мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
3.98мм
Высота
1.48мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q100
Количество слов
512
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Количество бит на слово
8бит
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (ex VAT)
Производственная упаковка (Труба)
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonОбъем памяти
4Кбит
Организация
512 x 8 bit
Тип интерфейса
SPI
Ширина шины данных
8бит
Максимальное время произвольного доступа
20нс
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOIC
Число контактов
8
Размеры
4.97 x 3.98 x 1.48мм
Длина
4.97мм
Максимальное рабочее напряжение питания
5,5 В
Ширина
3.98мм
Высота
1.48мм
Максимальная рабочая температура
+85 °C
Автомобильный стандарт
AEC-Q100
Количество слов
512
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Минимальное рабочее напряжение питания
4,5 В
Количество бит на слово
8бит
Информация о товаре
FRAM, Cypress Semiconductor
Ferroelectric Random Access Memory (F-RAM) is energy-efficient and it has the highest-reliability of the non-volatile RAMs for both serial and parallel interfaces. Parts with suffix A are designed for automotive applications and are AEC-Q100 qualified.
FRAM (Ferroelectric RAM)
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) is a non-volatile memory that uses ferroelectric film as a capacitor for storing data. Possessing characteristics of both ROM and RAM devices, F-RAM features high-speed access, high endurance in write mode, low power consumption, non-volatility, and excellent tamper resistance. It is therefore ideal memory for use in smart cards which need high security and low power consumption, as well as cellular phones and other devices.