Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343

Код товара RS: 897-7282PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP720H6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

25 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

13 В

Тип корпуса

SOT-343

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

100 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

13 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

1,2 В

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2 x 1.25 x 0.9мм

Информация о товаре

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 15.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 15.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

15

Доступно в кратности 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFP720H6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 25 mA, 13 V, 4-Pin SOT-343
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 15.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 15.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

15

Доступно в кратности 15
15P.O.A.
30P.O.A.
45P.O.A.
60P.O.A.
75P.O.A.
90P.O.A.
105P.O.A.
120P.O.A.
135P.O.A.
150P.O.A.
165P.O.A.
180P.O.A.
195P.O.A.
210P.O.A.
225P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

25 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

13 В

Тип корпуса

SOT-343

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

100 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

13 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

1,2 В

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2 x 1.25 x 0.9мм

Информация о товаре

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon

A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

Bipolar Transistors, Infineon