Diodes Inc MMBTA63-7-F PNP Darlington Transistor, -500 mA 30 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 823-3043Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: MMBTA63-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-10 V

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-100нА

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 470,00

тг 22,35 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)

Diodes Inc MMBTA63-7-F PNP Darlington Transistor, -500 mA 30 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

тг 4 470,00

тг 22,35 Each (In a Pack of 200) (ex VAT)

Diodes Inc MMBTA63-7-F PNP Darlington Transistor, -500 mA 30 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
200 - 800тг 22,35тг 4 470,00
1000 - 1800тг 17,88тг 3 576,00
2000 - 2800тг 17,88тг 3 576,00
3000 - 5800тг 13,41тг 2 682,00
6000+тг 13,41тг 2 682,00

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

-500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

-10 V

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

-30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

-100нА

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc