Diodes Inc BC846BLP4-7B NPN Transistor, 100 mA, 65 V, 3-Pin X2-DFN1006
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
тг 2 682,00
тг 26,82 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 2 682,00
тг 26,82 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 100 - 400 | тг 26,82 | тг 2 682,00 |
| 500 - 1900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 2000 - 4900 | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
| 5000 - 9900 | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
| 10000+ | тг 13,41 | тг 1 341,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
X2-DFN1006
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
300 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
1.05 x 0.65 x 0.35мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc