Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AA (SMB)
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
500мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 017,25
тг 120,69 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 017,25
тг 120,69 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 120,69 | тг 3 017,25 |
125 - 225 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
250 - 600 | тг 62,58 | тг 1 564,50 |
625 - 1225 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
1250+ | тг 49,17 | тг 1 229,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
DO-214AA (SMB)
Максимальный непрерывный прямой ток
3A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
500мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
100A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.